NVMFSW6D1N08HT1G - T8 80V 1 PART PROLIFERATI

codice articolo del costruttore

NVMFSW6D1N08HT1G

Numero parte interna

AX-NVMFSW6D1N08HT1G

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

628655 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NVMFSW6D1N08HT1G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVMFSW6D1N08HT1G

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : T8 80V 1 PART PROLIFERATI

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Ta), 89A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2085pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.8W (Ta), 104W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVMFS , NVMFSW6D

Documenti per NVMFSW6D1N08HT1G

Schede tecniche : NVMFSW6D1N08HT1G.pdf

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