IRF6678TR1PBF - MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9000 Pieces
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Specifiche per IRF6678TR1PBF
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRF6678TR1PBF
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta), 150A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
5640pF @ 15V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DIRECTFET™ MX
Pacchetto / caso :
DirectFET™ Isometric MX
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRF6678TR1PBF
Schede tecniche :
IRF6678TR1PBF.pdf
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