FF6MR12W2M1B11BOMA1 - MOSFET MODULE 1200V 200A

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET MODULE 1200V 200A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FF6MR12W2M1B11BOMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FF6MR12W2M1B11BOMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET MODULE 1200V 200A
Serie : CoolSiC™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 496nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 14700pF @ 800V
Potenza - Max : 20mW (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : Module
Pacchetto dispositivo fornitore : AG-EASY2BM-2
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : FF6MR1 , FF6MR12W2

Documenti per FF6MR12W2M1B11BOMA1

Schede tecniche : FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf

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