DMN90H2D2HCTI - MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

codice articolo del costruttore

DMN90H2D2HCTI

Numero parte interna

AX-DMN90H2D2HCTI

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

232635 Pieces

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Specifiche per DMN90H2D2HCTI

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN90H2D2HCTI

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1487pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : ITO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN9 , DMN90H

Documenti per DMN90H2D2HCTI

Schede tecniche : DMN90H2D2HCTI.pdf

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