IPG20N06S4L11ATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

codice articolo del costruttore

IPG20N06S4L11ATMA1

Numero parte interna

AX-IPG20N06S4L11ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

506185 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPG20N06S4L11ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPG20N06S4L11ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2N-CH 8TDSON

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.2 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 28µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4020pF @ 25V

Potenza - Max : 65W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TDSON-8-4

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPG20N , IPG20N06S

Documenti per IPG20N06S4L11ATMA1

Schede tecniche : IPG20N06S4L11ATMA1.pdf

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