IXTP110N12T2 - 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

codice articolo del costruttore

IXTP110N12T2

Numero parte interna

AX-IXTP110N12T2

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

111325 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IXTP110N12T2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTP110N12T2

fabbricante : IXYS

Descrizione : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET

Serie : TrenchT2™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 120V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 6570pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 517W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220AB

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXTP , IXTP11

Documenti per IXTP110N12T2

Schede tecniche : IXTP110N12T2.pdf

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