BTS282Z E3230 - MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

codice articolo del costruttore

BTS282Z E3230

Numero parte interna

AX-BTS282Z E3230

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

9036 Pieces

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Specifiche per BTS282Z E3230

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BTS282Z E3230

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

Serie : TEMPFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 49V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 240µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 232nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4800pF @ 25V

Caratteristica FET : Temperature Sensing Diode

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : P-TO220-7-230

Pacchetto / caso : TO-220-7

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BTS2 , BTS282

Documenti per BTS282Z E3230

Schede tecniche : BTS282Z E3230.pdf

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