DMN10H100SK3-13 - MOSFET N-CH 100V 18A TO252

codice articolo del costruttore

DMN10H100SK3-13

Numero parte interna

AX-DMN10H100SK3-13

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1543000 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per DMN10H100SK3-13

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN10H100SK3-13

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1172pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 37W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN10 , DMN10H1

Documenti per DMN10H100SK3-13

Schede tecniche : DMN10H100SK3-13.pdf

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