CSD88539NDT - MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per CSD88539NDT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CSD88539NDT
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 741pF @ 30V
Potenza - Max : 2.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : CSD88539NDT.pdf

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