GB10SLT12-252 - DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per GB10SLT12-252
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : GB10SLT12-252
fabbricante : GeneSiC Semiconductor
Descrizione : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Diodo : Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V
Corrente: media rettificata (Io) : 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 2V @ 10A
Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 250µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F : 520pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252
Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per GB10SLT12-252
Schede tecniche : GB10SLT12-252.pdf
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