CSD19538Q2T - MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD19538Q2T
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1004910 Pieces
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Specifiche per CSD19538Q2T
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CSD19538Q2T
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
13.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
454pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
6-WSON (2x2)
Pacchetto / caso :
6-WDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CSD19538Q2T
Schede tecniche :
CSD19538Q2T.pdf
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