IRF9953TR - MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

IRF9953TR

Numero parte interna

AX-IRF9953TR

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

26089 Pieces

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Specifiche per IRF9953TR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRF9953TR

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 15V

Potenza - Max : 2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SO

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRF , IRF9

Documenti per IRF9953TR

Schede tecniche : IRF9953TR.pdf

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