US1M R3G - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-US1M R3G
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5107665 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per US1M R3G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
US1M R3G
fabbricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1000V
Corrente: media rettificata (Io) :
1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 1A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore :
DO-214AC (SMA)
Temperatura operativa - Giunzione :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per US1M R3G
Schede tecniche :
US1M R3G.pdf
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