SI8808DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

codice articolo del costruttore

SI8808DB-T2-E1

Numero parte interna

AX-SI8808DB-T2-E1

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

2821495 Pieces

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Specifiche per SI8808DB-T2-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI8808DB-T2-E1

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 8V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-Microfoot

Pacchetto / caso : 4-UFBGA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI88 , SI8808D

Documenti per SI8808DB-T2-E1

Schede tecniche : SI8808DB-T2-E1.pdf

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