FCPF190N60 - MOSFET N-CH 600V TO-220-3

codice articolo del costruttore

FCPF190N60

Numero parte interna

AX-FCPF190N60

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

142560 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.968~~

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Specifiche per FCPF190N60

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FCPF190N60

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Serie : SuperFET® II

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 39W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220F

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FCP , FCPF1

Documenti per FCPF190N60

Schede tecniche : FCPF190N60.pdf

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