DMN2011UFX-7 - MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Stato RoHS
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Specifiche per DMN2011UFX-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : DMN2011UFX-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2248pF @ 10V
Potenza - Max : 2.1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 4-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN2050-4
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : DMN2 , DMN201

Documenti per DMN2011UFX-7

Schede tecniche : DMN2011UFX-7.pdf

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