K4FHE3D4HM-MHCJ - 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

codice articolo del costruttore

K4FHE3D4HM-MHCJ

Numero parte interna

AX-K4FHE3D4HM-MHCJ

fabbricante

Samsung Semiconductor

Breve descrizione

24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

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Senza piombo / Conforme RoHS

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Specifiche per K4FHE3D4HM-MHCJ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : K4FHE3D4HM-MHCJ

fabbricante : Samsung Semiconductor

Descrizione : 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

Serie : DDR3

Densità : 24 Gb

Org. : x32

Velocità : 3733 Mbps

Voltaggio : 1.8 / 1.1 / 1.1 V

Temp. : -40 ~ 105 °C

Pacchetto : 200FBGA

Stato prodotto : Mass Production

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : K4FHE , K4FHE3D

Documenti per K4FHE3D4HM-MHCJ

Schede tecniche : K4FHE3D4HM-MHCJ.pdf

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