SI5499DC-T1-E3 - MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
4520 Pieces
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Specifiche per SI5499DC-T1-E3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI5499DC-T1-E3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 8V
Vgs (massimo) :
±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1290pF @ 4V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso :
8-SMD, Flat Lead
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI5499DC-T1-E3
Schede tecniche :
SI5499DC-T1-E3.pdf
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