1N1206A - DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

codice articolo del costruttore

1N1206A

Numero parte interna

AX-1N1206A

fabbricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

113925 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per 1N1206A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 1N1206A

fabbricante : GeneSiC Semiconductor

Descrizione : DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V

Corrente: media rettificata (Io) : 12A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Chassis, Stud Mount

Pacchetto / caso : DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-4

Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 200°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 1N , 1N1

Documenti per 1N1206A

Schede tecniche : 1N1206A.pdf

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