1N6483-E3/97 - DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-1N6483-E3/97
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
5126700 Pieces
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Specifiche per 1N6483-E3/97
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N6483-E3/97
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Serie : SUPERECTIFIER®
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : -
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-213AB
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per 1N6483-E3/97
Schede tecniche : 1N6483-E3/97.pdf
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