BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
SIC POWER MODULE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9097 Pieces
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Specifiche per BSM180D12P3C007
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSM180D12P3C007
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
SIC POWER MODULE
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Potenza - Max :
880W
temperatura di esercizio :
175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
Module
Pacchetto dispositivo fornitore :
Module
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSM180D12P3C007
Schede tecniche :
BSM180D12P3C007.pdf
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