DMN2600UFB-7 - MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

codice articolo del costruttore

DMN2600UFB-7

Numero parte interna

AX-DMN2600UFB-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

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6587865 Pieces

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Specifiche per DMN2600UFB-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN2600UFB-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.85nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 70.13pF @ 15V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 540mW (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 3-DFN1006 (1.0x0.6)

Pacchetto / caso : 3-UFDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN2 , DMN260

Documenti per DMN2600UFB-7

Schede tecniche : DMN2600UFB-7.pdf

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