SI5902BDC-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
750325 Pieces
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Specifiche per SI5902BDC-T1-E3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI5902BDC-T1-E3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 15V
Potenza - Max :
3.12W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore :
1206-8 ChipFET™
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI5902BDC-T1-E3
Schede tecniche :
SI5902BDC-T1-E3.pdf
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