FDZ3N513ZT - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDZ3N513ZT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
10808 Pieces
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Specifiche per FDZ3N513ZT
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDZ3N513ZT
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
+5.5V, -0.3V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
85pF @ 15V
Caratteristica FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) :
1W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
4-WLCSP (0.96x0.96)
Pacchetto / caso :
4-UFBGA, WLCSP
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDZ3N513ZT
Schede tecniche :
FDZ3N513ZT.pdf
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