FDZ3N513ZT - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

codice articolo del costruttore

FDZ3N513ZT

Numero parte interna

AX-FDZ3N513ZT

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

10808 Pieces

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Specifiche per FDZ3N513ZT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDZ3N513ZT

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 3.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 462 mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : +5.5V, -0.3V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 85pF @ 15V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Body)

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 4-WLCSP (0.96x0.96)

Pacchetto / caso : 4-UFBGA, WLCSP

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDZ , FDZ3N

Documenti per FDZ3N513ZT

Schede tecniche : FDZ3N513ZT.pdf

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