BSB008NE2LXXUMA1 - MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON

codice articolo del costruttore

BSB008NE2LXXUMA1

Numero parte interna

AX-BSB008NE2LXXUMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

421930 Pieces

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Specifiche per BSB008NE2LXXUMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSB008NE2LXXUMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Ta), 180A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 343nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 12V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Pacchetto / caso : 3-WDSON

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSB00 , BSB008NE

Documenti per BSB008NE2LXXUMA1

Schede tecniche : BSB008NE2LXXUMA1.pdf

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