M471B5173EB0-YMA - DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL

codice articolo del costruttore

M471B5173EB0-YMA

Numero parte interna

AX-M471B5173EB0-YMA

fabbricante

Samsung Semiconductor

Breve descrizione

DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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Specifiche per M471B5173EB0-YMA

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : M471B5173EB0-YMA

fabbricante : Samsung Semiconductor

Descrizione : DDR3 SODIMM 4 GB 1R x 8 1866 Mbps 1.35 V 204 (512M x 8) x 8 EOL

Serie : DDR3

DDR : DDR3

Dimm Tipo : SODIMM

Densità : 4 GB

Classifica x Org. : 1R x 8

Velocità : 1866 Mbps

Voltaggio : 1.35 V

Numero Pin : 204

Composizione componente : (512M x 8) x 8

Stato prodotto : EOL

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : M471B , M471B517

Documenti per M471B5173EB0-YMA

Schede tecniche : M471B5173EB0-YMA.pdf

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Numero parte	Marca	Descrizione
12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
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WF135272WL60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
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