FQI10N60CTU - MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

codice articolo del costruttore

FQI10N60CTU

Numero parte interna

AX-FQI10N60CTU

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

70650 Pieces

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Specifiche per FQI10N60CTU

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQI10N60CTU

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

Serie : QFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2040pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.13W (Ta), 156W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK (TO-262)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQI , FQI10

Documenti per FQI10N60CTU

Schede tecniche : FQI10N60CTU.pdf

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