BSZ076N06NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
892050 Pieces
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Specifiche per BSZ076N06NS3GATMA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BSZ076N06NS3GATMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per BSZ076N06NS3GATMA1
Schede tecniche : BSZ076N06NS3GATMA1.pdf
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