2N6661-E3 - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

codice articolo del costruttore

2N6661-E3

Numero parte interna

AX-2N6661-E3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

19920 Pieces

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Specifiche per 2N6661-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2N6661-E3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 90V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 860mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-39

Pacchetto / caso : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : 2N6 , 2N66

Documenti per 2N6661-E3

Schede tecniche : 2N6661-E3.pdf

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