DMT3009LDT-7 - MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

codice articolo del costruttore

DMT3009LDT-7

Numero parte interna

AX-DMT3009LDT-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1054710 Pieces

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Specifiche per DMT3009LDT-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMT3009LDT-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Caratteristica FET : Standard

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 15V

Potenza - Max : 1.2W

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : V-DFN3030-8 (Type K)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMT3 , DMT300

Documenti per DMT3009LDT-7

Schede tecniche : DMT3009LDT-7.pdf

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