1SS387,L3F - DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC

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Numero parte interna
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1SS387,L3F

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1SS387,L3F
fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione : DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 80V
Corrente: media rettificata (Io) : 100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
Velocità : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) : 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 500nA @ 80V
Capacità @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitore : ESC
Temperatura operativa - Giunzione : 125°C (Max)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 1SS , 1SS38

Documenti per 1SS387,L3F

Schede tecniche : 1SS387,L3F.pdf

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