TK100A06N1,S4X - MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

codice articolo del costruttore

TK100A06N1,S4X

Numero parte interna

AX-TK100A06N1,S4X

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

170655 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TK100A06N1,S4X

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK100A06N1,S4X

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 45W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220SIS

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TK100A06N1,S4X

Schede tecniche : TK100A06N1,S4X.pdf

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