JAN1N6631US - DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-JAN1N6631US
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
30611 Pieces
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Specifiche per JAN1N6631US
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
JAN1N6631US
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/590
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1100V
Corrente: media rettificata (Io) :
1.4A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.6V @ 1.4A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
4µA @ 1100V
Capacità @ Vr, F :
40pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
E-MELF
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-5B
Temperatura operativa - Giunzione :
-65°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per JAN1N6631US
Schede tecniche :
JAN1N6631US.pdf
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