FDFME2P823ZT - MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

codice articolo del costruttore

FDFME2P823ZT

Numero parte interna

AX-FDFME2P823ZT

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

20048 Pieces

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Specifiche per FDFME2P823ZT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FDFME2P823ZT

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Serie : PowerTrench®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.6A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 405pF @ 10V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 1.4W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-MicroFET (1.6x1.6)

Pacchetto / caso : 6-UFDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FDFM , FDFME2

Documenti per FDFME2P823ZT

Schede tecniche : FDFME2P823ZT.pdf

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