W979H6KBVX2E - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-W979H6KBVX2E
fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
130120 Pieces
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Specifiche per W979H6KBVX2E
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : W979H6KBVX2E
fabbricante : Winbond Electronics
Descrizione : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria : 512Mb (32M x 16)
Frequenza di clock : 400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : -
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 134-VFBGA (10x11.5)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per W979H6KBVX2E
Schede tecniche : W979H6KBVX2E.pdf
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