SI7123DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
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MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI7123DN-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI7123DN-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3729pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI7123DN-T1-GE3
Schede tecniche : SI7123DN-T1-GE3.pdf
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