SI4966DY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
28245 Pieces
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Specifiche per SI4966DY-T1-E3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI4966DY-T1-E3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potenza - Max :
2W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI4966DY-T1-E3
Schede tecniche :
SI4966DY-T1-E3.pdf
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