TRS8E65C,S1Q - DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

codice articolo del costruttore

TRS8E65C,S1Q

Numero parte interna

AX-TRS8E65C,S1Q

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

62485 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per TRS8E65C,S1Q

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TRS8E65C,S1Q

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Silicon Carbide Schottky

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 650V

Corrente: media rettificata (Io) : 8A (DC)

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A

Velocità : No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 90µA @ 650V

Capacità @ Vr, F : 44pF @ 650V, 1MHz

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto / caso : TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-2L

Temperatura operativa - Giunzione : 175°C (Max)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TRS8 , TRS8E6

Documenti per TRS8E65C,S1Q

Schede tecniche : TRS8E65C,S1Q.pdf

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