ESH1B M2G - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

codice articolo del costruttore

ESH1B M2G

Numero parte interna

AX-ESH1B M2G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6179555 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per ESH1B M2G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ESH1B M2G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 1A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 1A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 15ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AC (SMA)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : ESH , ESH1

Documenti per ESH1B M2G

Schede tecniche : ESH1B M2G.pdf

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