STD4NK100Z - MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK

codice articolo del costruttore

STD4NK100Z

Numero parte interna

AX-STD4NK100Z

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

257160 Pieces

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Specifiche per STD4NK100Z

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STD4NK100Z

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 601pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 90W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per STD4NK100Z

Schede tecniche : STD4NK100Z.pdf

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