SIA906EDJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIA906EDJ-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIA906EDJ-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 10V
Potenza - Max : 7.8W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SIA906EDJ-T1-GE3
Schede tecniche : SIA906EDJ-T1-GE3.pdf
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