FDD2512 - MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK

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MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDD2512

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDD2512
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 6.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 344pF @ 75V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 42W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-252
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : FDD2512.pdf

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