1N5551US - DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per 1N5551US

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : 1N5551US
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
Serie : -
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 400V
Corrente: media rettificata (Io) : 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F : -
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore : D-5B
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : 1N , 1N55

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Schede tecniche : 1N5551US.pdf

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