FQA13N80-F109 - MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
75905 Pieces
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Specifiche per FQA13N80-F109
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FQA13N80-F109
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
12.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
300W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-3PN
Pacchetto / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FQA13N80-F109
Schede tecniche :
FQA13N80-F109.pdf
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