IXTM5N100 - POWER MOSFET TO-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXTM5N100
fabbricante
Breve descrizione
POWER MOSFET TO-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
22687 Pieces
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Specifiche per IXTM5N100
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXTM5N100
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
-
Stato parte :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
180W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-204AA
Pacchetto / caso :
TO-204AA, TO-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXTM5N100
Schede tecniche :
IXTM5N100.pdf
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