SI7117DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

codice articolo del costruttore

SI7117DN-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SI7117DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

750325 Pieces

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Specifiche per SI7117DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SI7117DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.17A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SI711 , SI7117D

Documenti per SI7117DN-T1-GE3

Schede tecniche : SI7117DN-T1-GE3.pdf

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