SI7117DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

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MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
Stato RoHS
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Specifiche per SI7117DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI7117DN-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI711 , SI7117D

Documenti per SI7117DN-T1-GE3

Schede tecniche : SI7117DN-T1-GE3.pdf

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