IPD70R1K4P7SAUMA1 - MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

codice articolo del costruttore

IPD70R1K4P7SAUMA1

Numero parte interna

AX-IPD70R1K4P7SAUMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1736500 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per IPD70R1K4P7SAUMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPD70R1K4P7SAUMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Serie : CoolMOS™ P7

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 158pF @ 400V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 23W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO252-3

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPD70 , IPD70R1K

Documenti per IPD70R1K4P7SAUMA1

Schede tecniche : IPD70R1K4P7SAUMA1.pdf

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