SI3590DV-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI3590DV-T1-E3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI3590DV-T1-E3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 830mW
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore : 6-TSOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI35 , SI3590D

Documenti per SI3590DV-T1-E3

Schede tecniche : SI3590DV-T1-E3.pdf

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