EPC2012 - GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

codice articolo del costruttore

EPC2012

Numero parte interna

AX-EPC2012

fabbricante

EPC

Breve descrizione

GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

10072 Pieces

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Specifiche per EPC2012

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EPC2012

fabbricante : EPC

Descrizione : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Stato parte : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (massimo) : +6V, -5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 145pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Pacchetto / caso : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EP , EPC

Documenti per EPC2012

Schede tecniche : EPC2012.pdf

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