S12KC M6G - DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

codice articolo del costruttore

S12KC M6G

Numero parte interna

AX-S12KC M6G

fabbricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2443465 Pieces

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Specifiche per S12KC M6G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : S12KC M6G

fabbricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrizione : DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V

Corrente: media rettificata (Io) : 12A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 12A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 1µA @ 800V

Capacità @ Vr, F : 78pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore : DO-214AB (SMC)

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : S12 , S12K

Documenti per S12KC M6G

Schede tecniche : S12KC M6G.pdf

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